自己紹介


所属   SiCツールズLLC., 名古屋工業大学大学院物理工学専攻

教育   物理工学科、創造工学教育課程

居室   6号館716号室

研究   材料表面の機能化
      イオン・光応用新物質創製

学会   応用物理学会、電子情報通信学会、表面学会、米国MRS

学位   工学博士

出身大学 筑波大学

趣味   写真、音楽鑑賞、編み物、山歩き、料理、ドライブ、夏目漱石、地史

義血縁  神田様、永利様、堀田様

好き   猫、ベートーヴェン、浜田省吾、サミーデービスジュニア、芋焼酎

嫌い   たばこ、はっきりしない男、盗人、利己主義者



専門は電子物性工学。物質を原子レベルで制御する独自技術を確立し、圧倒的な半導体加工技術や単結晶材料の

開発力を有する。研究開発だけに留まらず、シリコン・カーバイド(SiC)の表面加工技術を駆使した大学発ベンチャー

「SiCツールズ LLC」の設立に参画。同社CTO(技術開発最高責任者)を務める。



主な受賞歴は、財団法人永井科学技術財団 第20回学術賞(平成14年)、文部科学大臣賞(平成24年)など。

著書として「次世代パワー半導体」、「最新CMP技術と周辺部材」がある。現在、NEDO技術委員、愛知県科学技術・

知的財産アクションプラン策定委員、中部知的財産戦略本部 本部員、名古屋市次期産業振興計画検討会議委員等

を務める。



産学官連携では、大手家電メーカ半導体開発においてイオン注入技術でLSI製造を、ディスプレー開発企業において、

レーザー照射技術を用いた液晶パネル製造開発に関与。ヨーロッパ企業においては光メモリ技術開発に関与。加えて、

半導体基板加工技術開発において、研磨加工技術開発企業と共に省エネルギー半導体材料であるシリコンカーバイドの

デバイスレディ研磨プロセスを世界に先駆けて発表。これは現在の半導体加工の基本概念となっている。本技術を活用し、

SiCツールズにおける刃先形成に至っている。