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2016年度 研究実績
◆研究発表

  ●第64回 応用物理学会春季学術講演会
  (2017.3.14-17 パシフィコ横浜)

・川北 真鈴、宮川 鈴衣奈、江龍 修 (名古屋工業大学)
「Si基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造形成のフルエンス依存性」
・後藤 兼三、宮川 鈴衣奈、江龍 修 (名古屋工業大学)
「窒素雰囲気中でのサファイア基板へのフェムト秒レーザー照射」

  ●The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
  (2016.11.21-25 Kona,Hawaii)

・Reina Miyagawa,Osamu Eryu(Nagoya Inst. Tech.)
「Effect of laser power and repetition frequency on the formation of femtosecond-laser-induced periodic structures」

  ●NITech International Symposium Advanced Functional Materials and Application
  (2016.10.17-18 Nagoya Inst. Tech.)

・Reina Miyagawa(Nagoya Inst. Tech.)
「Surface functionalization of SiC substrate with the use of femtosecond laser」

  ●The 11th European conference on SiC and related materials
  (2016.9.25 Porto Carras Grand Resort , Halkidiki,Greece)

・Reina Miyagawa,Osamu Eryu(Nagoya Inst. Tech.)
「The formation of periodic nanostructures and singular microstructures induced by femtosecond laser irradiation」

  ●第77回応用物理学会秋季学術講演会
  (2016.9.13-16 朱鷲メッセ)

・宮川 鈴衣奈、江龍 修(名古屋工業大学)
「SiC基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成」

  ●第9回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期セミナー
  (2016.8.29-30 立命館大学びわこ・くさつキャンパス)

・宮川 鈴衣奈(名古屋工業大学)
「フェムト秒レーザー照射によるSiC基板表面改質」

  ●The 35th Electronic Materials Symposium
  (2016.7.6-8 Laforet Biwako)

・Reina Miyagawa, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa and Osamu Eryu
    (Nagoya Inst. Tech.)
「Selective GaN growth on 6H-SiC substrate with femtosecond-laser-induced periodic nanostructures」

  ●分子・物質合成プラットフォーム 平成28年度 シンポジウム
  (2016.6.17 大阪大学)

・山根 啓輔(有限会社ヒロセ金型)、江龍 修 (名古屋工業大学)
「磁性体添加CFRPによる軽量モータコアの開発」

  ●第8回窒化物半導体結晶成長講演会
  (2016.5.9 京都大学桂キャンパス ローム記念館)

・宮川 鈴衣奈、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志、江龍 修(名古屋工業大学)
「SiC 基板上直接GaN 成長における基板レーザー成長の影響」

  ●2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
  (2016.3.28-4.1 Pheonix.Arizona)

・Reina Miyagawa, Yu Okabe, Yuta Miyaji, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa and Osamu Eryu
(Nagoya Inst. Tech.)
「GaN growth on SiC substrate with femtosecond-laser-induced periodic nanostructure」