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2009年度 研究実績
◆第57回応用物理学関係連合講演会
(2010.3.17-3.20 東海大学)

・田中弥生、神田隆生、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、ポバール興業株式会社、
株式会社フジミインコーポレーテッド)
SBDによる表面原子ステップが及ぼす電気特性評価


◆SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第18回講演会
(2009.12.17-18 神戸国際会議場)

・松嶋拓矢、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド)
Siウエハを用いたSiC基板のCMPに及ぼすOの影響

・西尾和真、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド)
光励起を用いたSiC加工表面の非接触評価

・難波憲司、神田隆生、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、ポバール興業株式会社、
株式会社フジミインコーポレーテッド)
プラズマ加工後のGaN表面評価と研磨による表面改善

・吉田太一、神田隆生、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、ポバール興業株式会社、
株式会社フジミインコーポレーテッド)
ペプチド自己組織化膜を用いたSiCナノ微細加工

・中重雅文、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド)
低速イオン注入がSiC表面に与える影響

・田中弥生、神田隆生、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、ポバール興業株式会社、
株式会社フジミインコーポレーテッド)
表面原子ステップがSBD電気的特性に与える影響


◆第70回応用物理学術講演会
(2009.9.8-11 富山大学)

・難波憲司、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社・tジ・~インコーポレーテッド)
ウエットエッチングが及ぼすAl2O3(11-20)基板表面への影響

・松嶋拓矢、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド)
単結晶Siウエハを用いたSiC基板のCMP加工

・田中弥生、神田隆生、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、ポバール興業株式会社、
株式会社フジミインコーポレーテッド)
電気的特性に及ぼす表面原子ステップの影響