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2008年度 研究実績
◆第56回応用物理学関係連合講演会
(2009.3.30-4.2 筑波大学)

・大島武、小野田忍、堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修、(日本原子力研究開発機構、株式会社フジミインコーポレーテッド、
名古屋工業大学)
表面粗さの異なる4H-SiC基板上に作製したMOSFETの電気特性分布

・堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修、大島武、(株式会社フジミインコーポレーテッド、名古屋工業大学、日本原子力研究開発機構)
SiC基板両面同時メカノケミカルポリシング技術の開発

・田中弥生、堀田和利、鎌田透、河田研治、大島武、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド、
日本原子力研究開発機構)
ラッピング工程が及ぼすSBDリーク特性評価


◆SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第17回講演会
(2008.12.8-9 大田区産業プラザ)

・江龍修、田中弥生、神田隆生、堀田和利、鎌田透、河田研治、大島武、永利一幸、(名古屋工業大学大学院、ポバール興業株式会社、株式会社フジミインコーポレーテッド研究センター、日本原子力研究開発機構、株式会社フジミインコーポレーテッド)
SiC単結晶の高精度基板加工技術の開発 【招待講演】

・鎌田透、堀田和利、河田研治、江龍修、大島武、(株式会社フジミインコーポレーテッド、名古屋工業大学、日本原子力研究開発機構)
エピタキシャル成長工程がSiC単結晶基板の形状に与える影響

・堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修、大島武、(株式会社フジミインコーポレーテッド、名古屋工業大学、日本原子力研究開発機構)
エピタキシャル成長前SiC基板表面品質の重要性

・松嶋拓矢、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド)
圧電性材料を利用したSiC単結晶研磨

・田中弥生、堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修、(名古屋工業大学、株式会社フジミインコーポレーテッド研究センター)
SiC基板化加工のSBDによる評価

・難波憲司、永利一幸、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド)
ウエットエッチングにおけるサファイア基板の面方位依存性

・大島武、小野田忍、堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修、(日本原子力研究開発機構、株式会社フジミインコーポレーテッド、
名古屋工業大学)
異なる表面粗さを持つ4H-SiC基板上に作製したMOSFETの電気特性


◆第69回応用物理学術講演会
(2008.9.2-5 中部大学)

・堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修、大島武、(株式会社フジミインコーポレーテッド、名古屋工業大学、日本原子力研究開発機構)
前加工状態の違いによるエピタキシャル膜への応用

・田中弥生、堀田和利、鎌田透、河田研治、江龍修、(名古屋工業大学大学院、株式会社フジミインコーポレーテッド)
SiC基板電気的特性の研磨効果